Результаты

К настоящему времени в ИСЗФ получены следующие результаты:

1. Оказалось, что флуктуации ПЭС во время импульсной солнечной вспышки когерентны для всех станций и лучей на ИСЗ GPS на дневной стороне Земли. Временной профиль откликов ПЭС близок к временному ходу вариаций жесткого рентгеновского излучения во время вспышек в диапазоне энергий 25-35 кэВ, если ввести время релаксации возмущения электронной плотности в ионосфере порядка 50-100 сек. Afraimovich, 2000; Afraimovich et al., 2001a; Afraimovich et al., 2001b.

2. Предложен новый метод исследования реакции ионосферы на слабые солнечные вспышки (рентгеновского класса С), когда амплитуда вариаций отклика ПЭС на отдельных LOS сравнима с уровнем фоновых флуктуаций. Afraimovich et al., 2001c; Leonovich et al., 2001.

3. Исследована зависимость отклика амплитуды вариаций ПЭС на солнечные вспышки от локализации вспышек на Солнце (расстояния от центрального солнечного меридиана, CMD). Если рассматривать солнечные вспышки близкие по классу в рентгеновском диапазоне, то изучаемая зависимость близка по форме к cos(CMD) - Рис.2. Afraimovich et al., 2001c; Leonovich et al., 2001.

Зависимость отклика амплитуды вариаций ПЭС на 
солнечные вспышки 
от локализации вспышек на Солнце

Рис.2 Зависимость приращения средней амплитуды отклика ПЭС ионосферы ∆I на солнечные вспышки от CMD (для солнечных вспышек М2.0 - М5.7 класса в рентгеновском диапазоне (точки); цифры – класс вспышек; аппроксимирующая кривая cos(CMD) для этих солнечных вспышек (синяя линия).

4. Получена эмпирическая зависимость амплитуды отклика ПЭС ионосферы ∆I на солнечные вспышки от их пиковой мощности F в рентгеновском диапазоне (по данным геостационарного ИСЗ GOES-10 ) для вспышек, расположенных близко к центру диска (CMD < 40o) - Рис.3. Leonovich et al., 2001.

Зависимость амплитуды отклика ПЭС на солнечные вспышки от их пиковой мощности

Рис.3. Зависимость амплитуды отклика ПЭС ионосферы ∆I на солнечные вспышки от их пиковой мощности F в рентгеновском диапазоне (по данным геостационарного ИСЗ GOES-10), для вспышек, расположенных близко к центру диска (CMD < 40o ).



Главная страница раздела    Далее